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HYNIX/海力士代理商 - 原裝正品首選升邦科技

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品牌: HYNIX/海力士
單價: 4.00元/PCS
起訂: 5 PCS
供貨總量: 1120 PCS
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發(fā)貨
所在地: 廣東 深圳市
有效期至: 長期有效
最后更新: 2016-02-28 16:47
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公司基本資料信息
 
 
產品詳細說明
 Hynix代理商|現(xiàn)代代理商|海力士代理商|Hynix現(xiàn)代代理商|Hynix海力士代理商 深圳升邦電子作為韓國【Hynix海力士半導體】在國內的知名Hynix現(xiàn)代代理商,本著“全力服務客戶,為客戶創(chuàng)造終生價值”原則。努力創(chuàng)造“資源平臺的共享、成就客戶、成就公司”的美好前景。 

 

為了讓尊貴的您相信我們升邦電子所提供的【Hynix海力士半導體】IC系列均為原裝正品,我們特作出如下零風險承諾:

1、升邦電子保證提供的所有產品均為原廠全新正品,假一賠十;

2、升邦電子所提供的所有產品均符合行業(yè)技術標準和質量檢測標準,符合原廠苛刻的相關技術指標;

3、若產品存在任何質量問題,本公司無條件負責退貨、退款或換貨,查明問題原因并賠償由于我們的疏忽給貴司帶來的一切損失。

如需訂購,請拔打全國服務熱線:400-009-2889

 

 

HYNIX SDRAM/DDR 系列產品特 點:

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的數(shù)碼電視、STB、藍光播放機和網絡設備
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的電壓比DDR2(1.8V)低,能減低系統(tǒng)的耗電量 
•工作溫度范圍寬 - 最新的Q版本工作溫度在-40 to +105;
•高品質 - 由于是國內生產與加工,無形中降低了很多成本。廣泛應用于數(shù)碼類以及消費類電子產品中;  
•產線長 - Hynix已擁有全系列的DRAM產品。其中以TSOP-II和FBGA封裝的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

 

HYNIX SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number Density Ory Bank Package/Speed Refresh      Power(V) Package
H57V1262GFR 128Mb 8M*16 8Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 60Ball FBGA
H57V1262GTR 128Mb 8M*16 4Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
H57V2582GTR 256Mb 32M*8 8Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
H57V2562GFR 256Mb  16M*16       8Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 60Ball FBGA
H57V2562GTR 256Mb 16M*16  8Banks LC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)75 4K/64ms 3.3±0.3V 54pin TSOP(II)
HYNIX DDR SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number Density Ory Bank Package/Speed Refresh      Power(V) Package
H5DU1262GTR 128Mb 8M*16 4Banks LC(L)CC/C(L)B3 4K/64ms 2.5±0.1V 66PinTSOPII
H5DU2582GTR 256Mb 32M*8 8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 60BallFBGA
H5DU2562GFR 256Mb  16M*16                8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 60BallFBGA
H5DU2562GTR 256Mb 16M*16                8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 66PinTSOPII
H5DU5182EFR 512Mb 64M*8 8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 60BallFBGA
H5DU5182ETR 512Mb 64M*8 8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 66PinTSOPII
H5DU5162EFR 512Mb 32M*16 8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 60BallFBGA
H5DU5162ETR 512Mb 32M*16 8Banks LC(L)CC/C(L)B3 8K/64ms 2.5±0.1V 66PinTSOPII
HYNIX DDR2 SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number Density Ory Bank Package/Speed Refresh      Power(V) Package
H5PS2562GFR 256Mb  16M*16 8Banks HCF8/E7/F7/E6 4K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS5182GFR 512Mb 64M*8 8Banks HCE7/F7E6/D5/CC 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS5162GFR 512Mb 32M*16 8Banks HCF8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS1G83EFR 1Gb 128M*8 8Banks HC(L)F8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS1G83JFR 1Gb 128M*8 8Banks HC(L)F8/E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS1G63EFR 1Gb 64M*16 8Banks HC(L)E7/F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
H5PS1G63JFR 1Gb 64M*16 8Banks HC(L)E7F7/E6 8K/64ms 1.8±0.1V 84BallFBGA
HYNIX DDR3 SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number Density Ory Bank Package/Speed Refresh      Power(V) Package
H5TQ1G83BFR 1Gb  128M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TQ1G83DFR 1Gb  128M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 96BallFBGA
H5TQ1G63BFR 1Gb  64M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 96BallFBGA
H5TQ1G63DFR 2Gb 64M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TC2G83BFR 2Gb 256M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.35±0.075V 78BallFBGA
H5TQ2G83BFR 2Gb 256M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TQ2G83DFR 2Gb 256M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TC2G63BFR 2Gb 128*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.35±0.075V 78BallFBGA
H5TQ2G63BFR 2Gb 128M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TQ2G63DFR 2Gb 128M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 78BallFBGA
H5TC4G83MFR 4Gb 512M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.35±0.075V 78BallFBGA
H5TQ4G83MFR 4Gb 512M*8 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 96BallFBGA
H5TC4G63MFR 4Gb 256M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.35±0.075V 78BallFBGA
H5TQ4G63MFR 4Gb 256M*16 8Banks HC(L)F7/F8/H9/K0 8K/64ms 1.5±0.075V 96BallFBGA

 

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