Samsung三星半導體代理商-原廠直供首選【升邦】

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品牌：	Samsung三星
單價：	8.00元/PCS
起訂：	10 PCS
供貨總量：	1120 PCS
發(fā)貨期限：	自買家付款之日起 3 天內發(fā)貨
所在地：	廣東深圳市
有效期至：	長期有效
最后更新：	2016-02-28 16:47
瀏覽次數(shù)：	676

公司基本資料信息

深圳市升邦科技有限公司
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聯(lián)系人齊根偉(先生) 銷售工程師
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地區(qū)廣東-深圳市
地址深圳市寶安區(qū)福永鎮(zhèn)橋頭世峰大廈1010

產(chǎn)品詳細說明

SAMSUNG SDRAM/DDR 系列產(chǎn)品特點：

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的數(shù)碼電視、STB、藍光播放機和網(wǎng)絡設備；
•低功耗 —DDR3(1.5V) 的電壓比DDR2(1.8V)低，能減低系統(tǒng)的耗電量；
•工作溫度范圍寬 - 最新的Q版本工作溫度在-40 to +105；
•高品質 - 由于是國內生產(chǎn)與加工，無形中降低了很多成本。廣泛應用于數(shù)碼類以及消費類電子產(chǎn)品中；
•產(chǎn)線長 - SAMSUNG已擁有全系列的DRAM產(chǎn)品。其中以TSOP-II和FBGA封裝的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

SAMSUNG SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4S640832N-LC75	64Mb N-die	8M*8	4Banks	LC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S641632N-UC80	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S280832K-UC75	128Mb K-die 128Mb O-die	16M*8	4Banks	UC(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632K-UC75		8M16 16M8	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S281632O-LC75		8M*16	4Banks	LC(L)50/C(L)60/C(L)75	4K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560432J-UC75	256Mb J-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832J-UC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632J-UC75		16M*16		UC(L)60/C(L)75
K4S560432N-LC75	256Mb N-die	64M*4	4Banks	UC(L)75	8K/64ms 3.3±0.3V	54pin TSOP(II)
K4S560832N-LC75		32M*8		UC(L)75
K4S561632N-LC60		16M*16		UC(L)60/C(L)75
SAMSUNG DDR SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H641638N-LCCC	64Mb N-die	4M*16	4Banks	FC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	60BallFBGA
K4H641638Q-LCCC	64Mb Q-die	4M*16	4Banks	LC(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638L-LCCC	128Mb L-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)CC	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H281638O-LCCC	128Mb O-die	8M*16	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	4K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560438J-LCB3	256Mb J-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838J-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638J-LCB3		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H560438N-LCB0	256Mb N-die	64M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H560838N-LCCC		32M*8		LC(L)CC/C(L)B3
K4H561638N-LCCC		16M*16		LC(L)CC/C(L)B3
K4H510438F-HCCC	512Mb F-die	128M*4	4Banks	LC(L)B3/C(L)B0	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438F-HCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510438F-HCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638F-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638F-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510438G-HCCC	512Mb G-die	128M*4	4Banks	LC(L)CC/C(L)B3	8K/64ms 2.5±0.2V	66PinTSOPII
K4H510438G-HCCC		128M*4		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H510838G-LCCC		64M*8		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H510838G-LCCC		64M*8		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
K4H511638G-LCB3		32M*16		LC(L)CC/C(L)B3		66PinTSOPII
K4H511638G-LCB3		32M*16		HC(L)CC/C(L)B3		60BallFBGA
SAMSUNG DDR2 SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4T28163QO-HCE6	128Mb O-die	8M*16	4Banks	HCF8/E7/F7/E6	4K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QI-ZCF7	256Mb I-die	16M*16	4Banks	HCE7/F7E6/D5/CC	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T56163QN-HCE6	256Mb N-die	16M*16	4Banks	HCF8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51083QG-HCE6	512Mb G-die	64M*8	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QG-HCF8	512Mb G-die	32M*16	4Banks	HC(L)F8/E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T51043QI-HCE6	512Mb I-die	128M*4	4Banks	HC(L)E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51083QI-HCE6		64M*8		HC(L)E7F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T51163QI-HCE7		32M*16		HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QE-HCF7	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QE-HCE7	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
K4T1G084QF-BCF8	1Gb F-die	128M*8	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	60BallFBGA
K4T1G164QF-BCE7	1Gb F-die	64M*16	8Banks	HC(L)F8/E7/F7/E6	8K/64ms 1.8±0.1V	84BallFBGA
SAMSUNG DDR3 SDRAM系列規(guī)格參數(shù)
Part Number	Density	ory	Bank	Package/Speed	Refresh Power(V)	Package
K4B1G0846E-HCH9	1Gb E-die	128M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B1G1646E-HCH9	1Gb E-die	64M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA
K4B2G0846E-MCF	2Gb B-die	256M*8	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	78BallFBGA
K4B2G1646E-HCN9	2Gb B-die	128M*16	8Banks	HC(L)F7/F8/H9/K0	8K/64ms 1.5±0.075V	96BallFBGA